Evaluation of defect density in bulk gallium nitrides by photothermal deflection spectroscopy and steady-state photocapacitance methods
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Evaluation of defect density in bulk gallium nitrides by photothermal deflection spectroscopy and steady-state photocapacitance methods
- Date Crossref
- 01/06/2024
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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National Institute for Materials Science Next Generation Semiconductor Group pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Sumitomo Chemical (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Hitachi (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Chubu University Department of Electrical & Electronic Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Kogakuin University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Ltd. Sumitomo Chemical Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
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School of Advanced Engineering Department of Applied Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Next Generation Semiconductor Group — National Institute for Materials Science, Sumitomo Chemical (Japan) et Hitachi (Japan), avec 4 autres affiliations.
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