GaN and AlGaN epitaxy by HVPE
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Le résumé fourni par la source
High-speed growth (>1um/min) of highly-pure homo-epitaxial GaN layers ([C], [O] < mid-1e14/cm3) suitable for a drift layer of vertical-type power device became possible by using a quartz-free HVPE. This highly pure GaN crystal exhibited a record high room temperature and low temperature electron mobilities of 1480 and 14,300 cm2/Vs, respectively. Difficulty in alloy composition control of AlGaN crystals in HVPE-method due to parasitic vapor phase reaction was suppressed by careful adjustment of the growth conditions. As a result, AlGaN layers with good surface and crystal qualities were successfully prepared within almost the entire Al-fraction range by the HVPE method.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- GaN and AlGaN epitaxy by HVPE
- Date Crossref
- 09/03/2024
- Éditeur
- SPIE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Sumitomo Chemical (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Ltd. (Japan) Sumitomo Chemical Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
Sumitomo Chemical (Japan) et Sumitomo Chemical Co. — Ltd. (Japan).
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