Partial Ligand Stripping from CsPbBr3 Nanocrystals Improves Their Performance in Light-Emitting Diodes
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Le résumé fourni par la source
Halide perovskite nanocrystals (NCs), specifically CsPbBr 3, have attracted considerable interest due to their remarkable optical properties for optoelectronic devices. To achieve high-efficiency light-emitting diodes (LEDs) based on CsPbBr 3 nanocrystals (NCs), it is crucial to optimize both their photoluminescence quantum yield (PLQY) and carrier transport properties when they are deposited to form films on substrates. While the exchange of native ligands with didodecyl dimethylammonium bromide (DDAB) ligand pairs has been successful in boosting their PLQY, dense DDAB coverage on the surface of NCs should impede carrier transport and limit device efficiency. Following our previous work, here, we use oleyl phosphonic acid (OLPA) as a selective stripping agent to remove a fraction of DDAB from the NC surface and demonstrate that such stripping enhances carrier transport while maintaining a high PLQY. Through systematic optimization of OLPA dosage, we significantly improve the performance of CsPbBr 3 LEDs, achieving a maximum external quantum efficiency (EQE) of 15.1% at 516 nm and a maximum brightness of 5931 cd m –2 . These findings underscore the potential of controlled ligand stripping to enhance the performance of CsPbBr 3 NC-based optoelectronic devices.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Partial Ligand Stripping from CsPbBr<sub>3</sub> Nanocrystals Improves Their Performance in Light-Emitting Diodes
- Date Crossref
- 21/02/2024
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Italian Institute of Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Ministry of Education pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Xi'an Jiaotong University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Genoa pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Electronic Science and Engineering Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education & Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Nanochemistry pays non établi dans la noticeInstitution
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Photonic Nanomaterials pays non établi dans la noticeInstitution
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Università degli Studi di Genova pays non établi dans la noticeInstitution
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Materials Characterization Facility pays non établi dans la noticeInstitution
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