Quality improvement of ZnTe crystals by annealing in In and Zn vapor
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Quality improvement of ZnTe crystals by annealing in In and Zn vapor
- Date Crossref
- 01/03/2024
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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University of Science and Technology of China pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Hefei Institutes of Physical Science pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Anhui Provincial Key Laboratory of Photonics Devices and Materials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
University of Science and Technology of China, Chinese Academy of Sciences et Hefei Institutes of Physical Science, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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