Total Ionizing Dose Effects on a CDTI-Based CCD-on-CMOS Through Buildup of Interface Traps and Oxide Charges
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Total Ionizing Dose (TID) effects are explored in a fully depleted n-type CCD-on-CMOS based on Capacitive Deep Trench Isolation (CDTI). The root cause of the observed degradation on Full Well Charge (FWC), Charge Transfer Efficiency (CTE) and Dark current is investigated by discriminating the role of interface states and oxide traps. Biasing conditions on irradiation and long-term annealing are explored to provide more elements of comparison with the state of the art of TID effects on modern CMOS devices.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Total Ionizing Dose Effects on a CDTI-Based CCD-on-CMOS Through Buildup of Interface Traps and Oxide Charges
- Date Crossref
- 01/08/2024
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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