A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory
Rattachement africain : cn, fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract Among today’s nonvolatile memories, ferroelectric-based capacitors, tunnel junctions and field-effect transistors (FET) are already industrially integrated and/or intensively investigated to improve their performances. Concurrently, because of the tremendous development of artificial intelligence and big-data issues, there is an urgent need to realize high-density crossbar arrays, a prerequisite for the future of memories and emerging computing algorithms. Here, a two-terminal ferroelectric fin diode (FFD) in which a ferroelectric capacitor and a fin-like semiconductor channel are combined to share both top and bottom electrodes is designed. Such a device not only shows both digital and analog memory functionalities but is also robust and universal as it works using two very different ferroelectric materials. When compared to all current nonvolatile memories, it cumulatively demonstrates an endurance up to 10 10 cycles, an ON/OFF ratio of ~10 2 , a feature size of 30 nm, an operating energy of ~20 fJ and an operation speed of 100 ns. Beyond these superior performances, the simple two-terminal structure and their self-rectifying ratio of ~ 10 4 permit to consider them as new electronic building blocks for designing passive crossbar arrays which are crucial for the future in-memory computing.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory
- Date Crossref
- 13/01/2024
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Zhejiang Lab pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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East China Normal University Key Laboratory of Polar Materials and Devices pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Fudan University Institute of Optoelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Central South University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shanghai Jiao Tong University National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Centre National de la Recherche Scientifique pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Université Paris-Saclay pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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CentraleSupélec pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shanxi University Collaborative Innovation Center of Extreme Optics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Physics and Electronics Hunan Key Laboratory of Super Microstructure and Ultrafast Process pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Microelectronics State Key Laboratory of ASIC & System pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Zhejiang Lab, Key Laboratory of Polar Materials and Devices — East China Normal University et Institute of Optoelectronics — Fudan University, avec 8 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.