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2024 article

Binder-free V-doped CrN thin film electrode enables high performance symmetric supercapacitor

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Binder-free V-doped CrN thin film electrode enables high performance symmetric supercapacitor
Date Crossref
01/03/2024
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Key Laboratory of Functional Materials and Applications of Fujian Province pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Xiamen University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Xiamen University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Materials Science and Engineering Key Laboratory of Functional Materials and Applications of Fujian Province pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • College of Chemistry and Chemical Engineering State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Key Laboratory of Functional Materials and Applications of Fujian Province, Xiamen University of Technology et Xiamen University, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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