Modeling of a SiC Drift Step Recovery Diode Stack in Silvaco Atlas
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper details the development of a Silvaco Atlas model to simulate a high voltage SiC Drift Step Recovery Diode (DSRD) stack. The model developed is based on the DC and transient parameters found from characterizing the device. The model is benchmarked using atlas mixed-mode simulations against different physical testbeds for a complete comparative analysis. The successful development of the model allows greater insight into the operations of the device stack and faster optimization of pulsed power generators where the device is utilized.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Modeling of a SiC Drift Step Recovery Diode Stack in Silvaco Atlas
- Date Crossref
- 25/06/2023
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Texas Tech University Electrical Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sandia National Laboratories pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Electrical Computer Engineering — Texas Tech University et Sandia National Laboratories.
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