Improved colour separation for a backside illuminated image sensor with 1.4 µm pixel pitch
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9Institutions déclarées
5Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : ch, us, cz, gb, fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We demonstrate a back illuminated colour image sensor with a 1.4µm pixel pitch. A novel backside adapted pinned deep diode on n-substrates has been developed and characterized in order to achieve an improved colour separation. High quantum efficiency around 60% in the visible light spectrum has been attained whereas the other parameters stay in line with standard front side illuminated image sensors.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
La source scientifique ouverte est momentanément indisponible.
Les institutions déclarées
STMicroelectronics (Switzerland)STMicroelectronics (United States)STMicroelectronics (Czechia)STMicroelectronics (United Kingdom)Institut polytechnique de GrenobleCommissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesCEA GrenobleLaboratoire d'Électronique des Technologies de l'InformationUniversité Grenoble Alpes
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Les sujets associés
CCD and CMOS Imaging SensorsOptical Polarization and EllipsometryPhotonic and Optical Devices