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2023 article

The enhanced properties of amplified spontaneous emission and organic light emitting diodes based on Ag NPs doped hole transfer layer

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
The enhanced properties of amplified spontaneous emission and organic light emitting diodes based on Ag NPs doped hole transfer layer
Date Crossref
01/01/2024
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Liaocheng University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Nanjing Tech University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Physical Science and Information Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Shandong Provincial Key Laboratory of Optical Communication Science and Technology pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Physical and Mathematical Sciences Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM) pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Liaocheng University, Nanjing Tech University et School of Physical Science and Information Technology, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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