Sub-Bandgap Sensitization of Perovskite Semiconductors via Colloidal Quantum Dots Incorporation
Rattachement africain : pt. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
By taking advantage of the outstanding intrinsic optoelectronic properties of perovskite-based photovoltaic materials, together with the strong near-infrared (NIR) absorption and electronic confinement in PbS quantum dots (QDs), sub-bandgap photocurrent generation is possible, opening the way for solar cell efficiencies surpassing the classical limits. The present study shows an effective methodology for the inclusion of high densities of colloidal PbS QDs in a MAPbI3 (methylammonium lead iodide) perovskite matrix as a means to enhance the spectral window of photon absorption of the perovskite host film and allow photocurrent production below its bandgap. The QDs were introduced in the perovskite matrix in different sizes and concentrations to study the formation of quantum-confined levels within the host bandgap and the potential formation of a delocalized intermediate mini-band (IB). Pronounced sub-bandgap (in NIR) absorption was optically confirmed with the introduction of QDs in the perovskite. The consequent photocurrent generation was demonstrated via photoconductivity measurements, which indicated IB establishment in the films. Despite verifying the reduced crystallinity of the MAPbI3 matrix with a higher concentration and size of the embedded QDs, the nanostructured films showed pronounced enhancement (above 10-fold) in NIR absorption and consequent photocurrent generation at photon energies below the perovskite bandgap.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Sub-Bandgap Sensitization of Perovskite Semiconductors via Colloidal Quantum Dots Incorporation
- Date Crossref
- 29/08/2023
- Éditeur
- MDPI AG
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Uninova Department of Materials Science pays non établi dans la noticeOrganisme public
-
International Iberian Nanotechnology Laboratory INL pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Centro de Investigação em Materiais pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Universidade Nova de Lisboa pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
National Laboratory of Energy and Geology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Centro de Inovação em Engenharia e Tecnologia Industrial pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
University of Aveiro pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Polytechnic Institute of Porto pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
LNEG pays non établi dans la noticeInstitution
-
Instituto Superior de Engenharia do Porto Departamento de Física pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Universidade de Aveiro Departamento de Física pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Materials Science — Uninova, INL — International Iberian Nanotechnology Laboratory et Centro de Investigação em Materiais, avec 8 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.