First-principles calculation of electronic structure, chemical bonding and optical properties of β-AgBiS2
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Le résumé fourni par la source
We investigated the structural, electronic, chemical bonding, and optical properties of β-AgBiS2 crystal by using the Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) functional and the hybrid functional Heyd Scuseria Ernzerhof (HSE) within the DFT formalism. The electronic band structures obtained by both methods indicate that β-AgBiS2 is an indirect band gap semiconductor with band gap of 0.571 and 1.025 eV, respectively. The electron density difference and Mulliken overlap population show that the Ag-S bonds and Bi-S bonds are both ionic bonds. The calculated optical absorption spectrum prove that β-AgBiS2 is a promising material for solar photovoltaic conversion
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- First-principles calculation of electronic structure, chemical bonding and optical properties of β-AgBiS2
- Date Crossref
- 01/08/2023
- Éditeur
- Tech Science Press
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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