Anion-induced robust ferroelectricity in sulfurized pseudo-rhombohedral epitaxial BiFeO 3 thin films via polarization rotation
Rattachement africain : cn, es, sa. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
. According to first-principles calculations and the results of X-ray absorption spectroscopy and high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy, this enhancement arose from the introduction of S atoms driving the re-distribution of the lone-pair electrons of Bi, resulting in the rotation of the polarization state from the [001] direction to the [110] or [111] one. The presented method of anion-driven polarization rotation might enable the improvement of the properties of oxide materials.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Anion-induced robust ferroelectricity in sulfurized pseudo-rhombohedral epitaxial BiFeO <sub>3</sub> thin films <i>via</i> polarization rotation
- Date Crossref
- 01/01/2023
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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