Capacitive Deep Trench Isolation-Based CCD-on-CMOS Image Sensor Sensitivity to Total Ionizing Dose
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This work presents a new type of charge-coupled device (CCD) manufactured using a CMOS process and featuring capacitive deep trench isolation (CDTI). The device is used in a multi-pinned phase mode (MPP) enabling almost constant oxide interface passivation. Flatband shift, dark current, and charge transfer inefficiency (CTI) induced by total ionizing dose (TID) are investigated. Despite the increase of interface states, results show that dark current can be efficiently mitigated by the use of short charge transfer duration, avoiding full interface depletion and free charge generation. It is further shown that trapping by interface states is only lightly affecting CTI as the buried channel keeps electrons far from interfaces. Finally, a clear correlation between flatband shift with full well charge (FWC) reduction is established.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Capacitive Deep Trench Isolation-Based CCD-on-CMOS Image Sensor Sensitivity to Total Ionizing Dose
- Date Crossref
- 01/08/2023
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.