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Accès ouvert déclaré 2023 article

Modeling and Simulation of a TFET-Based Label-Free Biosensor with Enhanced Sensitivity

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3Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : in, rs, it. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

This study discusses the use of a triple material gate (TMG) junctionless tunnel field-effect transistor (JLTFET) as a biosensor to identify different protein molecules. Among the plethora of existing types of biosensors, FET/TFET-based devices are fully compatible with conventional integrated circuits. JLTFETs are preferred over TFETs and JLFETs because of their ease of fabrication and superior biosensing performance. Biomolecules are trapped by cavities etched across the gates. An analytical mathematical model of a TMG asymmetrical hetero-dielectric JLTFET biosensor is derived here for the first time. The TCAD simulator is used to examine the performance of a dielectrically modulated label-free biosensor. The voltage and current sensitivity of the device and the effects of the cavity size, bioanalyte electric charge, fill factor, and location on the performance of the biosensor are also investigated. The relative current sensitivity of the biosensor is found to be about 1013. Besides showing an enhanced sensitivity compared with other FET- and TFET-based biosensors, the device proves itself convenient for low-power applications, thus opening up numerous directions for future research and applications.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Modeling and Simulation of a TFET-Based Label-Free Biosensor with Enhanced Sensitivity
Date Crossref
22/05/2023
Éditeur
MDPI AG
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • National Institute Of Technology Silchar Department of Electronics and Communication Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • University of Belgrade Institute of Chemistry pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Fondazione Bruno Kessler pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Center for Sensors and Devices (SD) pays non établi dans la notice
    Institution

Department of Electronics and Communication Engineering — National Institute Of Technology Silchar, Institute of Chemistry — University of Belgrade et Fondazione Bruno Kessler, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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