Defect passivation and electron band energy regulation of a ZnO electron transport layer through synergetic bifunctional surface engineering for efficient quantum dot light-emitting diodes
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Bifunctional engineering leads to passivation of surface defects in ZnO NPs as well as elevation of the conduction band level of ZnO to promote charge balance. State-of-the-art blue QLEDs with an EQE of 16.31% and a T 50 @100 cd m −2 of 1685 h are achieved.
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Defect passivation and electron band energy regulation of a ZnO electron transport layer through synergetic bifunctional surface engineering for efficient quantum dot light-emitting diodes
- Date Crossref
- 01/01/2023
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Institutions déclarées
Henan UniversitySias UniversityCardiff UniversityUniversity of Electronic Science and Technology of China
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Sujets associés
ZnO doping and propertiesQuantum Dots Synthesis And PropertiesPerovskite Materials and Applications