Polarization-driven high Rabi frequency of piezotronic valley transistors
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Polarization-driven high Rabi frequency of piezotronic valley transistors
- Date Crossref
- 01/08/2023
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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University of Electronic Science and Technology of China pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Swansea University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Chengdu University of Information Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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College of Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Cybersecurity pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
University of Electronic Science and Technology of China, Chinese Academy of Sciences et Swansea University, avec 5 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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