Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control
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Le résumé fourni par la source
This study demonstrates a simultaneous realization of ultralow thermal conductivity and high thermoelectric power factor in epitaxial GeTe thin films/Si substrates by a combination of the interface introduction by domain engineering and the suppression of Ge vacancy generation by point defect control. We formed epitaxial Te-poor GeTe thin films having low-angle grain boundaries with a misorientation angle close to 0° or twin interfaces with a misorientation angle close to 180°. The control of interfaces and point defects gave rise to ultralow lattice thermal conductivity of ∼0.7 ± 0.2 W m –1 K –1 . This value was the same in the order of magnitude as the theoretical minimum lattice thermal conductivity of ∼0.5 W m –1 K –1 calculated by the Cahill–Pohl model. At the same time, the GeTe thin films exhibited a high thermoelectric power factor because of the suppression of Ge vacancy generation and a small contribution of grain boundary carrier scattering. The outstanding combined technique of domain engineering and point defect control can be a great approach for developing high-performance thermoelectric films.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control
- Date Crossref
- 16/05/2023
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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The University of Osaka pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shiga University of Medical Science Department of Fundamental Bioscience pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Graduate School of Engineering Science pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
The University of Osaka, Department of Fundamental Bioscience — Shiga University of Medical Science et National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, avec 1 autre affiliation.
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