Charge Trapping Layer Enabled Normally-Off β-Ga2O3 MOSFET
Rattachement africain : sg, cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this work, a normally-OFF$\beta $-Ga2O3 MOSFET enabled by charge trapping layer (CTL) is demonstrated for the first time. The CTL consists of Al:HfO$_{x} 1$:5 and the tunneling barrier (TB) is Al2O3/HfOx/Al2O3 stack. The developed Ga2O3 MOSFET exhibits a wide${V}_{\text {th}}$tuning range to normally-OFF operation and a long-lasting retention characteristic of −0.3 V (ten years). The device obtains a breakdown voltage (BV) of 1815 V, showing high reverse blocking capability based on the proposed CTL technique.${I}$–${V}$and${C}$–${V}$analyses are carried out under various temperatures to study the mechanism and explore the charge trapping and de-trapping processes. The results indicate a promising method to achieve E-mode operation for Ga2O3 MOSFET with low charge loss and stable${V}_{\text {th}}$.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Charge Trapping Layer Enabled Normally-Off <i>β</i>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOSFET
- Date Crossref
- 01/06/2023
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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National University of Singapore Department of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Southern University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Fudan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shanghai Fudan Microelectronics (China) pays non établi dans la noticeEntreprise
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State Key Laboratory of ASIC and System pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Microelectronics State Key Laboratory of ASIC and System pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electrical and Computer Engineering — National University of Singapore, Southern University of Science and Technology et Fudan University, avec 3 autres affiliations.
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