Dual-Float-Gate Capacitor for Low-Voltage Multi-Level Nonvolatile Memory with Enhanced Retention
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Le résumé fourni par la source
Low-voltage multi-level non-volatile memory has been extensively desired to satisfy the need of the data center and neuromorphic artificial intelligent computing. In this work, n$-\text{Si}/\text{Al}_{2}\mathrm{O}_{3}/\text{TiN}/\text{Al}_{2}\mathrm{O}_{3}/\text{TiN} /\text{Al}_{2}\mathrm{O}_{3}/\text{TiN}$stack is proposed to represent the potential of low-voltage multi-level memory and neuromorphic computing application. It features dual metal float-gate layers to achieve low-voltage multi-level storage at$\mathrm{V}_{\mathrm{p}}=-5\mathrm{V}$and enhanced long-term high-temperature retention (104s) at 85 °C.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Dual-Float-Gate Capacitor for Low-Voltage Multi-Level Nonvolatile Memory with Enhanced Retention
- Date Crossref
- 07/03/2023
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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