Low-Frequency and Random Telegraph Noise in 14-nm Bulk Si Charge-Trap Transistors
Résumé fourni par la source
Effects of programming/erasing (P/E) and total-ionizing dose (TID) are investigated on 2- and 40-fin charge-trap transistors (CTTs) fabricated in a 14-nm bulk-Si CMOS technology. Significant random telegraph noise (RTN) is observed in as-processed CTTs, especially for 2-fin devices. Trapped charge in programed devices does not significantly affect 1/${f}$noise magnitudes, but P/E leads to trap activation/deactivation, causing changes in border-trap energy and spatial distributions. TID irradiation activates a large number of stable radiation-induced traps.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low-Frequency and Random Telegraph Noise in 14-nm Bulk Si Charge-Trap Transistors
- Date Crossref
- 01/06/2023
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.