Improving the Electrical Properties of ITO/Si/GaAs/Si/ITO Solar Cell by Changing the GaAs Layer Position
Rattachement africain : Algérie. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Journal of Nano- and Electronic Physics. Scientific journal. ISSN: 2077-6772. Journal abbreviation: J. Nano- Electron. Phys. No page charges. All articles are freely available on-line. Issued 4 times per year. Publisher: Sumy State University. (Sumy, Ukraine)
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Improving the Electrical Properties of ITO/Si/GaAs/Si/ITO Solar Cell by Changing the GaAs Layer Position
- Date Crossref
- 01/01/2023
- Éditeur
- Sumy State University
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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