2022 article

Tip-Induced and Electrical Control of the Photoluminescence Yield of Monolayer WS2

Ricardo Javier Peña Román, Rémi Bretel, Delphine Pommier, Luis Enrique Parra López, Étienne Lorchat, Élizabeth Boer-Duchemin, Gérald Dujardin, Andrei G. Borisov, Luiz Fernando Zagonel, Guillaume Schull, Stéphane Berciaud, Eric Le Moal

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Le résumé fourni par la source

The photoluminescence (PL) of monolayer tungsten disulfide (WS 2 ) is locally and electrically controlled using the nonplasmonic tip and tunneling current of a scanning tunneling microscope (STM). The spatial and spectral distribution of the emitted light is determined using an optical microscope. When the STM tip is engaged, short-range PL quenching due to near-field electromagnetic effects is present, independent of the sign and value of the bias voltage applied to the tip–sample tunneling junction. In addition, a bias-voltage-dependent long-range PL quenching is measured when the sample is positively biased. We explain these observations by considering the native n-doping of monolayer WS 2 and the charge carrier density gradients induced by electron tunneling in micrometer-scale areas around the tip position. The combination of wide-field PL microscopy and charge carrier injection using an STM opens up new ways to explore the interplay between excitons and charge carriers in two-dimensional semiconductors.

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Titre Crossref: Tip-Induced and Electrical Control of the Photoluminescence Yield of Monolayer WS<sub>2</sub>
Date Crossref: 02/12/2022
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
Type: journal-article

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Centre National de la Recherche Scientifique pays non établi dans la notice
Organisme public
Université Paris-Saclay Institut des Sciences Moléculaires d’Orsay pays non établi dans la notice
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Structure de recherche
Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg pays non établi dans la notice
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State University of Campinas-UNICAMP Institute of Physics “Gleb Wataghin” pays non établi dans la notice
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Entreprise

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