On-Wafer Characterization and Modelling of InP Resonant Tunnelling Diodes up to 500 GHz
Résumé fourni par la source
This work reports the development of a multiline TRL calibration kit for submillimetre characterization of InP resonant tunnelling diodes (RTDs). Successful device S-parameter calibration, measurements, and de-embedding are reported in three different bands, and up to 500 GHz. A novel (for RTDs) technique for estimating the device's vertical structure parasitic elements based on measurements of semiconductor structures without active layers is proposed. An approach toward large-signal modelling of the RTD based on a symbolically defined component (SDD) has been implemented and successfully verified against measurements up to 500 GHz.
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- On-Wafer Characterization and Modelling of InP Resonant Tunnelling Diodes up to 500 GHz
- Date Crossref
- 27/09/2022
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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