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2022 article

Effect of nitrogen doping on the structure and electrochemical properties of vertical graphene sheets prepared by HWP-CVD

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3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Effect of nitrogen doping on the structure and electrochemical properties of vertical graphene sheets prepared by HWP-CVD
Date Crossref
01/01/2023
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Soochow University The Key Laboratory of Thin Films of Jiangsu pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Nantong Institute of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Optoelectronic Science and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

The Key Laboratory of Thin Films of Jiangsu — Soochow University, Nantong Institute of Technology et Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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