2022 article

2.57GW/cm2 normally-off composite stepped gate GaN-based HEMT with p-GaN buried layer and field plate

Jialin Li, Yian Yin, Fengbo Liao, Mengxiao Lian, Xichen Zhang, Keming Zhang, Yafang Xie, You Wu, Bingzhi Zou, Zhi-Xiang Zhang, Jingbo Li

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Titre Crossref: 2.57GW/cm2 normally-off composite stepped gate GaN-based HEMT with p-GaN buried layer and field plate
Date Crossref: 01/01/2023
Éditeur: Elsevier BV
Type: journal-article

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Les institutions déclarées

South China Normal University

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Les sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsGa2O3 and related materialsZnO doping and properties

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