Ultralow‐Power and Radiation‐Tolerant Complementary Metal‐Oxide‐Semiconductor Electronics Utilizing Enhancement‐Mode Carbon Nanotube Transistors on Paper Substrates
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract The development of eco‐friendly, ultralow‐power and easy‐to‐process electronics is facing dominant challenges in emerging off‐the‐grid applications, such as the Internet of Things (IoTs) and extreme environment explorations at the south/north pole, in the deep sea, and in outer space. Eco‐friendly, biodegradable, lightweight, and flexible paper‐based electronics can provide many new possibilities for next‐generation devices and circuits. Here, enhancement‐mode (E‐mode, remaining off state at zero gate voltages) carbon nanotube (CNT) complementary metal‐oxide‐semiconductor (CMOS) thin‐film transistors (TFTs) are built on paper substrates through a printing‐based process. Benefitting from the CMOS circuit style and E‐mode transistors, the fabricated CMOS inverters exhibit high voltage gains (more than 11) and noise margins (up to 75% 1/2 VDD at VDD of 0.4 V), and rail‐to‐rail operation down to a VDD as low as 0.2 V and record low power dissipation as low as 0.0124 pW μm−1. Furthermore, the transistors and integrated circuits (ICs) show an excellent radiation tolerance of a total ionizing dose (TID) exceeding 2 Mrad with a high dose rate of 365 rad s−1. The record power consumption and outstanding radiation tolerance behavior achieved in paper‐based and easy‐to‐process CNT electronics are attractive for emerging energy‐saving and environmentally friendly ICs in harsh environment (such as outer‐space) applications.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ultralow‐Power and Radiation‐Tolerant Complementary Metal‐Oxide‐Semiconductor Electronics Utilizing Enhancement‐Mode Carbon Nanotube Transistors on Paper Substrates
- Date Crossref
- 02/09/2022
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of Science and Technology of China pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Peking University Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon‐based Electronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Suzhou University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics Division of Nanodevices and Related Nanomaterials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Xi'an Jiaotong University Frontier Institute of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Electronics Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon-based Electronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Nano-Tech and Nano-Bionics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
University of Science and Technology of China, Chinese Academy of Sciences et Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon‐based Electronics — Peking University, avec 5 autres affiliations.
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