Energy-Band-Structure Calculation by Below-Band-Gap Spectrophotometry in Thin Layers of Non-Crystalline Semiconductors: A Case Study of Unhydrogenated A-Si
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Energy-Band-Structure Calculation by Below-Band-Gap Spectrophotometry in Thin Layers of Non-Crystalline Semiconductors: A Case Study of Unhydrogenated A-Si
- Date Crossref
- 01/01/2022
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- posted-content
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.