Memtransistor Devices Based on MoS2 Multilayers with Volatile Switching due to Ag Cation Migration (Adv. Electron. Mater. 8/2022)
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Memtransistor Devices The cover is an artist view of the mechanisms of resistance switching in a memtransistor device. Under an in-plane electric field, Ag cations migrate from one electrode to the other, eventually creating a bridge which is responsible for the macroscopic transition from high to low resistance of the memtransistor. More details can be found in article number 2101161 by Daniele Ielmini and co-workers.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Memtransistor Devices Based on MoS<sub>2</sub> Multilayers with Volatile Switching due to Ag Cation Migration (Adv. Electron. Mater. 8/2022)
- Date Crossref
- 01/08/2022
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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