Low temperature silicon nitride grown by very high frequency (VHF, 162MHz) plasma enhanced atomic layer deposition with floating multi-tile electrode
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Low temperature silicon nitride grown by very high frequency (VHF, 162MHz) plasma enhanced atomic layer deposition with floating multi-tile electrode
- Date Crossref
- 01/10/2022
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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