Optical and electrical properties of GaZnO films deposited by co-sputtering method on two types of substrates
Rattachement africain : Égypte. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Gallium zinc oxide GaZnO (GZO) thin films are deposited on silica glass and quartz substrates using DC power and RF power on ZnO and GaO targets, respectively. Structural characteristics are investigated using X-ray diffraction XRD, optical parameters such as refractive index n, optical energy gap Eop and dispersion parameters in addition to the electrical property are investigated for all considered films. The optical properties reveal that GZO films have high transmittance (70–98%) and a low absorption coefficient in the visible range of the spectra. The optical band gap was found to increase from 3.28 to 3.44 eV with increasing the RF power on GaO target. The dielectric constant of GZO was found to be larger than the dielectric loss and has high optical conductivity (≈1015 S−1), The VELF and SELF values of GZO films are calculated and investigated.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Optical and electrical properties of GaZnO films deposited by co-sputtering method on two types of substrates
- Date Crossref
- 21/07/2022
- Éditeur
- Informa UK Limited
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.