Aller au contenu principal
Accès ouvert déclaré 2022 article

Probing electronic dead layers in homoepitaxial n-SrTiO3(001) films

5Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
6Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We combine state-of-the-art oxide epitaxial growth by hybrid molecular beam epitaxy with transport, x-ray photoemission, and surface diffraction, along with classical and first-principles quantum mechanical modeling to investigate the nuances of insulating layer formation in otherwise high-mobility homoepitaxial n-SrTiO3(001) films. Our analysis points to charge immobilization at the buried n-SrTiO3/undoped SrTiO3(001) interface as well as within the surface contamination layer resulting from air exposure as the drivers of electronic dead-layer formation. As Fermi level equilibration occurs at the surface and the buried interface, charge trapping reduces the sheet carrier density (n2D) and renders the n-STO film insulating if n2D falls below the critical value for the metal-to-insulator transition.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Probing electronic dead layers in homoepitaxial <i>n</i>-SrTiO3(001) films
Date Crossref
01/07/2022
Éditeur
AIP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Pacific Northwest National Laboratory Physical and Computational Sciences Directorate pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • University of Minnesota Department of Chemical Engineering and Materials Science pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Oregon State University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Argonne National Laboratory Advanced Photon Source pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • IBM (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Diamond Light Source pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Physics and Astronomy pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Chemical pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • International Business Machines Research–Albany Nanotech Complex 6 pays non établi dans la notice
    Institution
  • Ltd. Diamond Light Source pays non établi dans la notice
    Entreprise

Physical and Computational Sciences Directorate — Pacific Northwest National Laboratory, Department of Chemical Engineering and Materials Science — University of Minnesota et Oregon State University, avec 7 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Electronic and Structural Properties of OxidesSemiconductor materials and devicesFerroelectric and Negative Capacitance Devices

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.