Charge sensing properties of monolithic CMOS pixel sensors fabricated in a 65 nm technology
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Rattachement africain : fr, it, ch, cn, at, kr, nl. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Charge sensing properties of monolithic CMOS pixel sensors fabricated in a 65 nm technology
- Date Crossref
- 01/10/2022
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Centre National de la Recherche ScientifiqueInstitut Pluridisciplinaire Hubert CurienUniversité de StrasbourgIstituto Nazionale di Fisica NucleareIstituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di TorinoEuropean Organization for Nuclear ResearchCentral China Normal UniversityTU WienYonsei UniversityÉcole Polytechnique Fédérale de LausanneNational Institute for Subatomic PhysicsUniversity of CagliariUniversité Paris-SaclayLaboratoire de Physique des 2 Infinis Irène Joliot-CurieUniversity of Science and Technology of China
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Les sujets associés
CCD and CMOS Imaging SensorsParticle Detector Development and PerformanceRadiation Detection and Scintillator Technologies