Optical and defect properties of mid-IR laser crystal Dy 3+ : PbGa 2 S 4 : a DFT and XPS study
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3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
High-quality Dy 3+ :PbGa 2 S 4 crystals were prepared using pressure-resisted and crucible-capsule Bridgman techniques through the compensation of Ga 2 S 3 .
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Optical and defect properties of mid-IR laser crystal Dy <sup>3+</sup> : PbGa <sub>2</sub> S <sub>4</sub> : a DFT and XPS study
- Date Crossref
- 01/01/2022
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
University of Science and Technology of ChinaChinese Academy of SciencesAnhui Institute of Optics and Fine Mechanics
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Solid State Laser TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhotorefractive and Nonlinear Optics