2022 article

Research on the effect of gate etching depth on the performance of GaN-based HEMTs under medium source-drain etching

Jialin Li, Yian Yin, Fengbo Liao, Mengxiao Lian, Xichen Zhang, Keming Zhang, Yafang Xie, You Wu, Bingzhi Zou, Zhi-Xiang Zhang, Jingbo Li

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Titre Crossref: Research on the effect of gate etching depth on the performance of GaN-based HEMTs under medium source-drain etching
Date Crossref: 01/08/2022
Éditeur: Elsevier BV
Type: journal-article

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South China Normal University

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Sujets associés

GaN-based semiconductor devices and materialsZnO doping and propertiesSemiconductor Quantum Structures and Devices

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