21‐3: Effect of Ag Adhesion Layer on Plasmon Outcoupling Efficiency
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this paper we explore energy loss in the novel plasmonic PHOLED device architecture that enables next‐generation OLED operation by harnessing energy previously believed to be trapped in the plasmon mode. We determine that the quality of Ag used in the plasmon out‐coupling scheme can increase the device efficiency by greater than 30%. We identify the Ag adhesion layer as a way to tune the quality of Ag and discuss the effects on both plasmon in‐ and out‐coupling efficiencies.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- 21‐3: Effect of Ag Adhesion Layer on Plasmon Outcoupling Efficiency
- Date Crossref
- 01/06/2022
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Universal Display Corporation pays non établi dans la noticeEntreprise
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Philips (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
Universal Display Corporation et Philips (United States).
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.