Radiation-hardness of VA1 with sub-micron process technology
Rattachement africain : jp, us, no. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We have studied the radiation hardness of the VA1, a Viking-architecture preamplifier VLSI chip. LSI samples are fabricated by 0.8 /spl mu/m and 0.35 /spl mu/m process technology to improve radiation hardness of the LSI for the Belle silicon vertex detector upgrade. We have observed significant improvement of the radiation hardness with 0.8 /spl mu/m technology. Little degradation of noise and gain is observed to total dose of 20 Mrad for the VA1 fabricated by the 0.35 /spl mu/m technology. We find that the radiation hardness improves at a scaling of better than t/sub ox//sup -6/ (t/sub ox/: oxide thickness). Basic parameters of MOSFETs are also studied to understand a mechanism of the radiation damage in the VA1.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Radiation-hardness of VA1 with sub-micron process technology
- Date Crossref
- 11/11/2002
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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