A battery backup 64K CMOS RAM with double level aluminum technology
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A 10mW 64K CMOS RAM with auto data retention mode will be described. The RAM was fabricated with a double-level aluminum process technology. To reduce active power, a split power control technique was employed. The address access time is 80ns.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A battery backup 64K CMOS RAM with double level aluminum technology
- Date Crossref
- 01/01/1983
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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