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Irradiation of Cu(In, Ga)Se-=SUB=-2-=/SUB=- Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra

Mikhail A. Sulimov, Maksim N. Sarychev, I. A. Mogilnikov, V. Yu. Ivanov, Vladimir A. Volkov, V. D. Zhivulko, А. В. Мудрый, M. V. Yakushev

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Le résumé fourni par la source

Thin films of Cu(In,Ga)Se2 on Mo/glass were irradiated by 10 MeV electrons at 77 K and examined by photoluminescence at 77 K before and after irradiation without warming the samples as well as after warming to 300 K. The photoluminescence spectra revealed a broad band constituting 3 merged peaks (P1, P2, P3) assigned to: band-to-band recombination (P1) and recombination of free electrons with holes localised at acceptors influenced by the valence band tail (P2, P3). Irradiation reduced the intensity of the peaks due to deep traps generated by electrons and anomalously reduced the degree of compensation of the material. Keywords: thin films, irradiation, photoluminescence, recombination, band-to-band.

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Titre Crossref: Irradiation of Cu(In, Ga)Se-=SUB=-2-=/SUB=- Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra
Date Crossref: 01/01/2022
Éditeur: Ioffe Institute Russian Academy of Sciences
Type: journal-article

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Où se fait cette recherche

Ural Federal University pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
M.N. Mikheev Institute of Metal Physics pays non établi dans la notice
Structure de recherche
National Academy of Sciences of Belarus pays non établi dans la notice
Organisme public
Institute of Solid State Chemistry pays non établi dans la notice
Structure de recherche

Ural Federal University, M.N. Mikheev Institute of Metal Physics et National Academy of Sciences of Belarus, avec 1 autre affiliation.

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