n-Type doping of a solution processed p-type semiconductor using isoelectronic surface dopants for homojunction fabrication
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Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- n-Type doping of a solution processed p-type semiconductor using isoelectronic surface dopants for homojunction fabrication
- Date Crossref
- 01/07/2022
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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New York University Department of Chemical and Biomolecular Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Lawrence Berkeley National Laboratory The Molecular Foundry pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of California Applied Science and Technology Graduate Group pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Chemical and Biomolecular Engineering — New York University, The Molecular Foundry — Lawrence Berkeley National Laboratory et Applied Science and Technology Graduate Group — University of California.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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