Accès ouvert déclaré 2021 preprint

Secondary Electron Emission and Photoemission from Negative Electronaffinity Semiconductor with Large Mean Escape Depth of Excited Electrons

Ai-Gen Xie, Hong-Jie Dong, Yifan Liu, Yue-Lin Gan

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

1Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Secondary Electron Emission and Photoemission from Negative Electronaffinity Semiconductor with Large Mean Escape Depth of Excited Electrons
Date Crossref: 01/01/2021
Éditeur: Elsevier BV
Type: posted-content

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Nanjing University of Information Science and Technology

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Electron and X-Ray Spectroscopy TechniquesGas Sensing Nanomaterials and SensorsElectronic and Structural Properties of Oxides

Lire en accès ouvert Consulter la publication primaire Ouvrir le DOI