Non‐Local Electrostatic Gating Effect in Graphene Revealed by Infrared Nano‐Imaging
Rattachement africain : cn, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Electrostatic gating lies in the heart of field effect transistor (FET) devices and modern integrated circuits. To achieve efficient gate tunability, the gate electrode has to be placed very close to the conduction channel, typically a few nanometers. Remote control of a FET device through a gate electrode located far away is highly desirable, because it not only reduces the complexity of device fabrication, but also enables the design of novel devices with new functionalities. Here, a non-local electrostatic gating effect in graphene devices using scanning near-field optical microscopy (SNOM)-a technique that can probe local charge density in graphene-is reported. Remarkably, the charge density of the graphene region tens of micrometers away from a local gate can be efficiently tuned. The observed non-local gating effect is initially driven by an in-plane electric field induced by the quantum capacitance of graphene, and further largely enhanced by adsorbed polarized water molecules. This study reveals a non-local phenomenon of Dirac electrons, provides a deep understanding of in-plane screening from Dirac electrons, and paves the way for designing novel electronic devices with remote gate control.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Non‐Local Electrostatic Gating Effect in Graphene Revealed by Infrared Nano‐Imaging
- Date Crossref
- 27/11/2021
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Shanghai Jiao Tong University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shenyang National Laboratory for Materials Science pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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National Institute for Materials Science International Center for Materials Nanoarchitectonics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Science and Technology Beijing Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Beijing Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Beijing Institute of Optoelectronic Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Physics and Astronomy Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Research Center for Functional Materials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Shanghai Jiao Tong University, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures et Shenyang National Laboratory for Materials Science, avec 6 autres affiliations.
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