Simulation and Experiment of THz Wave Generation in LT-GaAs Excited by 1550 nm Laser
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this paper, the transmission theory of photoconductive antenna is briefly explained, and the photoconductive antenna is simulated by HFSS software. LT- GaAs thin film is prepared by etching the sacrificial layer (AlAs) in the four layer epitaxial structure of LT-GaAs, GaAs, AlAs and semi insulating gallium arsenide (SI-GaAs), and then transferred to clean silicon to prepare LT-GaAs thin film antenna. In the last, the terahertz signal is successfully detected. In addition, the experimental results and simulation results are compared and analyzed.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Simulation and Experiment of THz Wave Generation in LT-GaAs Excited by 1550 nm Laser
- Date Crossref
- 29/08/2021
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Capital Normal University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Physics — Capital Normal University.
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