Bias-dependent displacement damage effects in a silicon avalanche photodiode
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Rattachement africain : us, at. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Bias-dependent displacement damage effects in a silicon avalanche photodiode
- Date Crossref
- 01/11/2021
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Texas A&M University Department of Nuclear Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Oak Ridge National Laboratory One Bethel Valley Road pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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International Atomic Energy Agency pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Nuclear Science and Instrumentation Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Department of Nuclear Engineering — Texas A&M University, One Bethel Valley Road — Oak Ridge National Laboratory et International Atomic Energy Agency, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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