A CMOS compatible platform for high impedance superconducting quantum circuits
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Aluminium based platforms have allowed to reach major milestones for superconducting quantum circuits. For the next generation of devices, materials that are able to maintain low microwave losses while providing new functionalities, such as large kinetic inductance or compatibility with CMOS platform are sought for. Here we report on a combined direct current (DC) and microwave investigation of titanium nitride lms of dierent thicknesses grown using CMOS compatible methods. For microwave resonators made of TiN lm of thickness $\sim$3 nm, we measured large kinetic inductance LK $\sim$ 240 pH/sq, high mode impedance of $\sim$ 4.2 k$\Omega$ while maintaining microwave quality factor $\sim$ 10^5 in the single photon limit. We present an in-depth study of the microwave loss mechanisms in these devices that indicates the importance of quasiparticles and provide insights for further improvement.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Loss mechanisms in TiN high impedance superconducting microwave circuits
- Date Crossref
- 18/04/2022
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.