Atomic structure of light-induced efficiency-degrading defects in boron-doped Czochralski silicon solar cells
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Using electron paramagnetic resonance, we show that under light exposure, nearly all the 10 16 boron doping sites in Si degrade to form shallow traps. Of these 10 16 traps, only 10 12 –10 13 cm −3 are spin-active and responsible for light-induced degradation.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Atomic structure of light-induced efficiency-degrading defects in boron-doped Czochralski silicon solar cells
- Date Crossref
- 01/01/2021
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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National Laboratory of the Rockies pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Colorado School of Mines Department of Chemical and Biological Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Renewable Energy Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
National Laboratory of the Rockies, Department of Chemical and Biological Engineering — Colorado School of Mines et National Renewable Energy Laboratory.
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