The impact of interfacial Si contamination on GaN-on-GaN regrowth for high power vertical devices
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The development of gallium nitride (GaN) power devices requires a reliable selective-area doping process, which is difficult to achieve because of ongoing challenges associated with the required etch-then-regrow process. The presence of silicon (Si) impurities of unclear physical origin at the GaN regrowth interface has proven to be a major bottleneck. This paper investigates the origin of Si contamination at the epitaxial GaN-on-GaN interface and demonstrates an approach that markedly reduces its impact on device performance. An optimized dry-etching approach combined with UV-ozone and chemical etching is shown to greatly reduce the Si concentration levels at the regrowth interface, and a significant improvement in a reverse leakage current in vertical GaN-based p–n diodes is achieved.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- The impact of interfacial Si contamination on GaN-on-GaN regrowth for high power vertical devices
- Date Crossref
- 31/05/2021
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Arizona State University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Iowa State University Department of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Electrical pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Physics — Arizona State University, Department of Electrical and Computer Engineering — Iowa State University et School of Electrical.
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