Distinguishing various influences on the electrical properties of thin-barrier AlGaN/GaN heterojunctions with in-situ SiN caps
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Distinguishing various influences on the electrical properties of thin-barrier AlGaN/GaN heterojunctions with in-situ SiN caps
- Date Crossref
- 01/09/2021
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Hong Kong Polytechnic University Department of Electronic and Information Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Southern University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hong Kong University of Science and Technology Department of Electronic and Computer Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Hong Kong pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Beijing Microelectronics Technology Institute pays non établi dans la noticeInstitution
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School of Microelectronics Engineering Research Center of Integrated Circuits for Next-Generation Communications pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Engineering Research Center of Integrated Circuits for Next-Generation Communications pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Shenzhen Smartchip Microelectronics Technology Co. Ltd. pays non établi dans la noticeEntreprise
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Shenzhen Institute of Wide-bandgap Semiconductors pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Department of Electronic and Information Engineering — Hong Kong Polytechnic University, Southern University of Science and Technology et Department of Electronic and Computer Engineering — Hong Kong University of Science and Technology, avec 6 autres affiliations.
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