Formation of ultra-high-resistance Au/Ti/p-GaN junctions and the applications in AlGaN/GaN HEMTs
Rattachement africain : ca, cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We report a dramatic current reduction, or a resistance increase, by a few orders of magnitude of two common-anode Au/Ti/p-GaN Schottky junctions annealed within a certain annealing condition window (600–700 °C, 1–4 min). Results from similar common-anode Schottky junctions made of Au/p-GaN, Al/Ti/p-GaN, and Au/Ti/graphene/p-GaN junctions demonstrated that all three layers (Au, Ti, and p-GaN) are essential for the increased resistance. Scanning-transmission electron microscopy, Hall, and Raman measurements have been performed to investigate the mechanisms. Moreover, this high-resistance junction structure was employed in p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors. It was shown to be an effective gate technology that was capable of boosting the gate breakdown voltage from 9.9 to 12.1 V with a negligible effect on the threshold voltage or the sub-threshold slope.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Formation of ultra-high-resistance Au/Ti/<i>p-</i>GaN junctions and the applications in AlGaN/GaN HEMTs
- Date Crossref
- 01/04/2021
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of British Columbia Department of Materials Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Southern University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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GaN Device Engineering Technology Research Center of Guangdong pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Key Laboratory of the Third Generation Semiconductors pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Microelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Innovation and Entrepreneurship pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Materials Engineering — University of British Columbia, Southern University of Science and Technology et GaN Device Engineering Technology Research Center of Guangdong, avec 3 autres affiliations.
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