Enhanced transient THz response in TMDC heterostructures
Rattachement africain : in, fr, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The THz conductivity of MoS2, MoSe2monolayers and their heterostructure is compared and reported here. We also measured the hot carrier relaxation upon optical excitation in these samples below and above the bandgap of the monolayers. While in the heterostructure the recovery kinetics of the carriers resembles that of monolayers, the conductivity change is enhanced by one order of magnitude. A simple model accounts for this phenomenon.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Enhanced transient THz response in TMDC heterostructures
- Date Crossref
- 08/11/2020
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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